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FGH12040WD_F155: 1200 V, 40 A 场截止沟槽 IGBT
飞兆半导体的场截止第 2 代 IGBT 新系列采用的是新颖的电场截止型 IGBT 技术，为低导通和开关损耗的焊接和 PFC 应用提供最优性能。
| FGH12040WD_F155.pdf |
特性
- 最大结温： TJ =175°C
- 正温度系数，易于并联运行
- 低饱和电压： VCE(sat) = 2.3 V（典型值） @ IC = 40
- ILM(1) 部件 100% 检测
- 短路耐用性> 5 us @ 150°C
- 高输入阻抗
- 符合 RoHS 标准
| 产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FGH12040WD_F155 | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $4.9 | TO-247 3L
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4.7 x 15.62 x 20.57mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FGH12040 |
- TO-247 3L Drawing Last Update: Aug 2016
- Tube Packing Drawing Last Update: Nov 2015
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