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FGH40T120SMDL4: 1200V、40A FS沟道IGBT
通过采用创新的场截止沟道 IGBT技术，飞兆半导体®新型系列的场截止沟道 IGBT 可为光伏变频器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
| FGH40T120SMDL4.pdf |
特性
- FS 沟道技术，正温度系数
- 由于使用了开尔文发射极引脚，因此提供卓越的开关性能
- 低饱和电压： VCE(sat) = 1.8 V（IC = 40 A）
- ILM(1)部件100%检测
- 高输入阻抗
- 符合 RoHS 标准
| 产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FGH40T120SMDL4 | 量产 绿色：截至2014年10月 中国 RoHS | $9 | TO-247 4L
-
5.0 x 15.60 x 22.54mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FGH40T120 |
- TO-247 4L Drawing Last Update: Jun 2016
- Tube Packing Drawing Last Update: Jun 2015
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