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FGH75T65SHDT: 650 V、75 A 场截止沟道 IGBT
Fairchild 的场截止第三代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
| FGH75T65SHDT.pdf |
特性
- 最大结温： TJ = 175°C
- 正温度系数，易于并联运行
- 高电流能力
- 低饱和电压： VCE(sat)= 1.6 V（典型值） @ IC = 75 A
- ILM(1) 部件 100% 检测
- 高输入阻抗
- 快速开关
- 紧密的参数分布
- 符合 RoHS 标准
| 产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FGH75T65SHDT_F155 | 量产 绿色：截至2015年4月 中国 RoHS | $3.6 | TO-247 3L
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4.7 x 15.62 x 20.57mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FGH75T65 |
- TO-247 3L Drawing Last Update: Aug 2016
- Tube Packing Drawing Last Update: Nov 2015
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