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FGL35N120FTD: 1200V,35A,场截止沟道 IGBT
飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS 和焊机等硬开关应用提供最佳性能。
数据手册DataSheet
FGL35N120FTD.pdf
特性
场截止沟道技术
高速开关
低饱和电压:V
CE(sat)
= 1.68 V @ I
C
= 35A
高输入阻抗
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FGL35N120FTDTU
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$6.21
TO-264 3L - 5.2 x 20 x 46mm, 管装
TO-264 3L 示意图
最后更新: 2016年6月
TO264-3L, JEDEC VARIATION, PACKING DRAWING
最后更新: 2014年6月
TO264-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FGL35N120
第三行
FTD
FGL35N120FTD.pdf
TO-264 3L Drawing
Last Update: Jun 2016
TO264-3L, JEDEC VARIATION, PACKING DRAWING
Last Update: Jun 2014
TO264-3L, PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
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