FMMT549: PNP低饱和晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

FMMT549: PNP低饱和晶体管

**数据手册DataSheet**
FMMT549.pdf

特性

此器件设计为具有高电流增益和低饱和电压，且集电极电流最高可达2A连续值。
采用工艺PB设计。

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FMMT549	量产绿色：截至2011年12月中国 RoHS	$0.0495	SSOT 3L - 1.12 x 2.92 x 1.4mm, 卷带 SSOT 3L 示意图最后更新: 2015年5月 SOT Tape and Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年10月	第一行&E (空间) &Y (二进制历年编码) 第二行549&E (空间) &G (每周日期代码)

Application Notes

AN-1025 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs 最后更新 : 2015年6月15日

AN-1026 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs 最后更新 : 2011年6月14日

SSOT 3L Drawing Last Update: May 2015

SOT Tape and Reel Packing Drawing Last Update: Oct 2016

Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs Last Update : 15-Jun-2015

Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs Last Update : 14-Jun-2011

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