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FOD8383: 采用 Optoplanar® 宽体 SOP 5 引脚封装的 FOD8383 2.5 A 输出电流、高速、MOSFET/IGBT 栅极驱动光电耦合器
FOD8383 是一个 2.5 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制变频应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。
FOD8383 采用 Fairchild 的 Optoplanar® 共面封装技术及优化的 IC 设计，以实现可靠的高绝缘电压和高抗噪能力。
它是由与具有高速驱动器的集成电路进行光耦合的铝砷化镓 (AlGaAs) 发光二极管组成，可实现推挽式 MOSFET 输出级。 该器件包含在一个宽体 5 引脚小型塑料封装中。
| FOD8383.pdf |
特性
- 输出级 P 沟道 MOSFET 支持接近于电源轨的输出电压摆幅
- 210 ns 最大传输延迟
- 65 ns 最大脉宽失真
- UL1577，5,000 VACRMS持续 1 分钟
- DIN-EN/IEC60747-5-5，1,414 V 峰值工作绝缘电压
| 产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FOD8383V | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $2.6841 | SO 5L WB
-
2.9 x 3.95 x 9.2mm,
管装
| 第一行&E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) $Y (飞兆徽标)
第二行&E (空间) |
| FOD8383R2V | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $2.7343 | SO 5L WB
-
2.9 x 3.95 x 9.2mm,
卷带
| 第一行&E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) $Y (飞兆徽标)
第二行&E (空间) |
| FOD8383R2 | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $2.7092 | SO 5L WB
-
2.9 x 3.95 x 9.2mm,
卷带
| 第一行&E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) $Y (飞兆徽标)
第二行&E (空间) |
| FOD8383 | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $2.659 | SO 5L WB
-
2.9 x 3.95 x 9.2mm,
管装
| 第一行&E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) &E (空间) $Y (飞兆徽标)
第二行&E (空间) |
Application Notes
- SO 5L WB Drawing Last Update: Jan 2015
- SOIC Tape And Reel Packing Drawing Last Update: Jun 2016
- SOIC TUBE Packing Drawing Last Update: Dec 2016
- Standard Gate-Driver Optocouplers Last Update : 28-Jun-2014
