FQD4P25TM_WS: P 沟道 QFET® MOSFET -250 V、-3.1 A、2.1Ω

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

• -3.1 A、-250 V、RDS(on) = 2.1Ω ，需 VGS = -10 V
• 较低的栅极电荷（典型值为 10 nC）
• 较低的 Crss（典型值为 10.3 pF）
• 快速开关
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 符合 RoHS 标准

Application Notes