FQPF3N25: N 沟道 QFET® MOSFET 250 V、2.3 A、2.2 Ω

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适用于高效开关 DC/DC 转换器和开关电源应用。

特性

• 2.3 A、250 V、R_DS(on) = 2.2 Ω（最大值）@V_GS = 10 V、I_D = 1.15 A
• 低栅极电荷（典型值 4.0 nC)
• 低 Crss（典型值 4.7 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes