H11G1M 和 H11G2M 是光达灵顿型光耦合光电耦合器。 此类器件包含与连接至光电晶体管的硅达林顿晶体管耦合的砷化镓红外线发光二极管,该二极管具有集成的基极-发射极电阻以优化高温特性。
H11G1M.pdf |
产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
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H11G1SR2VM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.3467 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
卷带
| 第一行N/A
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H11G1SR2M | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.3161 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
卷带
| 第一行N/A
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H11G1TVM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.3621 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11G1SM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.3007 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11G1M | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.2854 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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