HGTG30N60B3: 600 V，PT IGBT _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

HGTG30N60B3 结合最佳的 MOSFET 高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态导通损耗特性。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器和电源。

**数据手册DataSheet**
HGTG30N60B3.pdf

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
HGTG30N60B3	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$6.24	TO-247 3L - 4.7 x 15.62 x 20.57mm, 管装 TO-247 3L 示意图最后更新: 2016年9月 TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING 最后更新: 2015年11月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行G30N60B3