MTD3055VL: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性

• 12A, 60VR_DS(ON) = 0.18Ω @ V_GS = 5V
• 在高温下额定的临界DC电气参数。
• 低驱动要求使得能够直接从逻辑驱动器进行操作。 Vgs(th) < 2 V。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 175°C最大结温额定值。

Application Notes