这些双N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻,提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 这些器件特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。
第二行&. (引脚 1) 02N&G (每周日期代码)