这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻,提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 NDS0605 在需要高达0.18A直流电的大多数应用中可轻松使用,并且可提供高达1A的脉冲电流。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。
第二行65D&E (空间) &G (每周日期代码)