NDS355N: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

这些N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

特性

• 1.6 A，30 V。 R_DS(ON) = 0.125Ω @ V_GS= 4.5 V。
• 专有封装设计使用铜引线框架，可提供出色的热和电气能力。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的R_DS(ON)。
• 出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。
• 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

Application Notes