这些N沟道逻辑电平功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,优化了硅原料利用率,可以带来出色的性能。 这些器件设计用于逻辑电平(5V)驱动源,适用于可编程控制器、车用开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现,在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导,从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。 以前的开发类型为TA09871。
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