数据手册DataSheet 下载:TVS Diode Array SLVU2.8-8 Datasheet
SLVU2.8-8系列旨在保护低压CMOS设备免受静电放电和雷击感应电压瞬变的影响。 每个低压瞬态抑制二极管都有一个与之串联的补偿二极管,可为受保护的线路提供低负载电容。 根据IEC61000-4-2标准,该稳定结构可以在±30kV(接触放电)条件下安全地吸收反复性ESD冲击,并可在极低的箝位电压下安全地耗散高达30A(IEC61000-4-5,tP=8/20μs)的波形浪涌电流。
功能与特色:
应用:
产品号 | 符合AEC-Q101标准 | 断态电压(V) | I泄漏(μA) | ESD触点(kV) | 静电放电(空气)(kV) | 雷击防护(8x20μs)(A) | 箝位电压 | CI/OTYP(pF) | 尺寸 | 通道 |
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SLVU2.8-8BTG | YES | 2.8 | 0.1 | ±30 | ±30 | 30 | 8.5V@5A | 2.6 | SOIC-8 | 8 |