A2G35S160-01S: 3400-3600MHz,32 W平均值,48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

A2G35S160-01SR3 32 W LDMOS射频功率晶体管专为频率范围为3400至3600 MHz之间的移动通信基站应用而设计。

特性
  • 高终端阻抗,支持最佳宽带性能
  • 专为数字预失真纠错系统而设计
  • 为Doherty应用进行了优化
  • 符合RoHS规范
NI-400S-2S Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
A2G35S160-01S 3400-3600 MHz, 32 W Avg, 48 V GaN Data Sheet (REV 0) PDF (327.9 kB) A2G35S160-01S [English]16 May 2016
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins (REV C) PDF (45.6 kB) 98ASA10732D [English]19 Jan 2016
印刷电路板
订购信息
型号状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
A2G35S160-01SR3Active34003600485112632 @ AVGW-CDMA15.7 @ 350036.71.9InputABGaN
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询PPT (°C)
NI-400S-24098ASA10732DMPQ - 250 REELPOQ - 250 BOXActiveA2G35S160-01SR3A2G35S160-01SR3.pdf260
A2G35S160-01S 3400-3600 MHz, 32 W Avg, 48 V GaN Data Sheet A2G35S160-01S
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
A2G35S160-01S 3500 MHz PCB DXF file A2G35S160-01S
98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins A2G35S200-01S
A2G35S160-01SR3.pdf A2G35S160-01S