A2G35S160-01S: 3400-3600MHz，32 W平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

A2G35S160-01S: 3400-3600MHz，32 W平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

A2G35S160-01SR3 32 W LDMOS射频功率晶体管专为频率范围为3400至3600 MHz之间的移动通信基站应用而设计。

特性

高终端阻抗，支持最佳宽带性能
专为数字预失真纠错系统而设计
为Doherty应用进行了优化
符合RoHS规范

NI-400S-2S Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
A2G35S160-01S 3400-3600 MHz, 32 W Avg, 48 V GaN Data Sheet (REV 0) PDF (327.9 kB) A2G35S160-01S [English]	16 May 2016

应用说明 (1)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (1)

名称/描述	Modified Date
98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins (REV C) PDF (45.6 kB) 98ASA10732D [English]	19 Jan 2016

印刷电路板

A2G35S160-01S 3500 MHz PCB DXF file (REV 1) ZIP A2G35S160-01S_3500_PCB 5/16/2016

订购信息

型号	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
A2G35S160-01SR3	Active	3400	3600	48	51	126	32 @ AVG	W-CDMA	15.7 @ 3500	36.7	1.9	Input	AB	GaN

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	PPT (°C)
NI-400S-240	98ASA10732D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX	Active	A2G35S160-01SR3	A2G35S160-01SR3.pdf		260

A2G35S160-01S 3400-3600 MHz, 32 W Avg, 48 V GaN Data Sheet A2G35S160-01S

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

A2G35S160-01S 3500 MHz PCB DXF file A2G35S160-01S

98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins A2G35S200-01S

A2G35S160-01SR3.pdf A2G35S160-01S

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