AFT05MS003N: 3 W连续波,1.8-941 MHz,7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管

特性
  • 运行频率在1.8至941 MHz之间
  • 未匹配的输入和输出,可适用更宽的频率范围
  • 集成的ESD保护
  • 集成的稳定性增强功能
  • 宽带 - 整个频段全功率
  • 卓越的热性能
  • 非常耐用
  • 符合RoHS规范
特性
  • 输出级VHF频段手持无线电
  • 输出级UHF频段手持无线电
  • 输出级700-900 MHz手持无线电
  • 智能计量
  • 面向1.8-941 MHz应用的驱动器
SOT-89 Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
3 W CW, 1.8-941 MHz, 7.5 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet (REV 0) PDF (1.3 MB) AFT05MS003N [English]07 Aug 2015
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASA00241D, SOT, 4.5x2.5x1.5, Pitch 1.5, 3 Pins (REV A) PDF (58.4 kB) 98ASA00241D [English]29 Feb 2016
支持信息 (1)
名称/描述Modified Date
AFIC901N and AFT05MS003N Overview (REV 0) PDF (583.4 kB) AFIC901N_AFT05MS003N_TRN_SI [English]06 Jul 2015
印刷电路板
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
AFT05MS003NT1Active1.89417.538.433 @ CWCW20.8 @ 52068.34.1UnmatchedABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询MSLPPT (°C)
SOT-89A98ASA00241DMPQ - 1000 REELPOQ - 8000 BOXActiveAFT05MS003NT1AFT05MS003NT1.pdf1260
3 W CW, 1.8-941 MHz, 7.5 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet aft05ms003n
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
RF Products Selector Guide MMT20303H
AFIC901N and AFT05MS003N Overview aft05ms003n
AFT05MS003N 136-174 MHz PCB DXF file AFT05MS003N
AFT05MS003N 350-520 MHz PCB DXF file AFT05MS003N
98ASA00241D, SOT, 4.5x2.5x1.5, Pitch 1.5, 3 Pins MMG3H21NT1
AFT05MS003NT1.pdf AFT05MS003N