特性
| NI-880XS-4L4S Image |
名称/描述 | Modified Date |
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AFT26H160-4S4R3 2496-2690 MHz, 32 W AVG., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor – Data Sheet (REV 1) PDF (474.3 kB) AFT26H160-4S4 [English] | 25 Nov 2013 |
名称/描述 | Modified Date |
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AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
名称/描述 | Modified Date |
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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
名称/描述 | Modified Date |
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RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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98ASA00545D, NI-C, 23.11x9.78x3.81, Pitch 26.82, 9 Pins (REV A) PDF (56.7 kB) 98ASA00545D [English] | 24 Feb 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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Airfast® RF Products for TD-LTE Base Stations (REV 0) PDF (4.1 MB) AIRFAST_TD-LTE_TRN_SI [English] | 01 Jun 2013 |
型号 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
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AFT26H160-4S4R3 | Active | 2496 | 2690 | 28 | 50 | 100 | 32 @ AVG | W-CDMA | 14.9 @ 2496 | 45.7 | 0.41 | I/O | AB, C | LDMOS |
封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | PPT (°C) |
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NI880X-4L4S | 98ASA00545D | MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX | Active | AFT26H160-4S4R3 | AFT26H160-4S4R3.pdf | 260 |