AFT27S010N: 100-3600 MHz,1.26 W平均值,28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管

特性
  • 增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 专为数字预失真纠错系统而设计
  • 带有内部射频反馈的通用宽带驱动器件
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,16 mm卷带宽度,7英寸卷盘。
PLD-1.5W Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet (REV 3) PDF (1.1 MB) AFT27S010N [English]30 Dec 2015
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASA00476D, PLD, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins (REV A) PDF (55.3 kB) 98ASA00476D [English]15 Feb 2016
支持信息 (1)
名称/描述Modified Date
Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N (REV 0) PDF (2.8 MB) AIRFAST_6W_10W_DRIVERS_TRN_SI [English]25 Nov 2013
印刷电路板
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
AFT27S010NT1Active10036002840101.26 @ AVGW-CDMA21.7 @ 217022.63.5UnmatchedABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询MSLPPT (°C)
PLD-1.5W98ASA00476DMPQ - 1000 REELPOQ - 1000 BOXActiveAFT27S010NT1AFT27S010NT1.pdf3260
AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet AFT27S010N
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
RF Products Selector Guide MMT20303H
Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N AFT27S010N
AFT27S010N 2100 MHz PCB DXF file AFT27S010N
AFT27S010N 2300 MHz PCB DXF file AFT27S010N
AFT27S010N 2600 MHz PCB DXF file AFT27S010N
AFT27S010N 700 MHz PCB DXF file AFT27S010N
98ASA00476D, PLD, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins aft09ms015n
AFT27S010NT1.pdf AFT27S010N