MHT1000H: 2450 MHz,140 W连续波,28 V工业加热,耐用型LDMOS射频功率晶体管

特性
  • 2450 MHz时的典型连续波性能:VDD = 28 Vdc,IDQ = 1200 mA,输出功率 = 140 W 功率增益:13.2 dB 漏极效率:45%
  • 在28 Vdc,2390 MHz,140 W连续波输出功率时,能承受10:1 VSWR
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 内部匹配,简便易用
  • 工作电压最高可达32 VDD
  • 集成的ESD保护
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R5后缀 = 50个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘。
NI-880H-2L Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MHT1000HR5 2450 MHz, 140 W CW, 28 V Industrial Heating, Rugged RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet (REV 0) PDF (637.4 kB) MHT1000H [English]30 May 2014
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ARB18493C, NI-C, 1.34x0.54x0.2, Pitch 1.44, 3 Pins (REV G) PDF (47.3 kB) 98ARB18493C [English]04 Feb 2016
订购信息
型号状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MHT1000HR5Active245024502851.5140140 @ CW1-Tone13.2 @ 2450450.29I/OABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询PPT (°C)
NI-88098ARB18493CMPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMHT1000HR5MHT1000HR5.pdf260
MHT1000HR5 2450 MHz, 140 W CW, 28 V Industrial Heating, Rugged RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet MHT1000H
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
98ARB18493C, NI-C, 1.34x0.54x0.2, Pitch 1.44, 3 Pins mrf6s24140h
MHT1000HR5.pdf MHT1000H