MHT1002N: 915 MHz,350 W连续波,48 V射频功率LDMOS晶体管,适用于消费电子和商用烹饪

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特性
  • 提供串联等效大信号阻抗参数和共源S参数
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 内部输入预匹配,简单易用
  • 工作电压可达50 Vdc
  • 集成的ESD保护
  • 150°C外壳工作温度
  • 能承受225°C芯片温度
  • 符合RoHS规范
特性
  • 消费电子烹饪
  • 商用烹饪
OM-780-4L, OM-780G-4L Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MHT1002N 350 W CW, 915 MHz, 48 V Data Sheet (REV 0) PDF (641.7 kB) MHT1002N [English]22 Apr 2015
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (2)
名称/描述Modified Date
98ASA10833D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins (REV B) PDF (69.8 kB) 98ASA10833D [English]22 Mar 2016
98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins (REV E) PDF (76.8 kB) 98ASA10834D [English]22 Mar 2016
印刷电路板
订购信息
型号状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MHT1002GNR3Active9159154855.9387350 @ CWCW20.7 @ 91566.90.24InputABLDMOS
MHT1002NR3Active9159154855.9387350 @ CWCW20.7 @ 91566.90.24InputABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询MSLPPT (°C)
OM780-4 GULL PLASTIC98ASA10834DMPQ - 250 REELPOQ - 250 REELActiveMHT1002GNR3MHT1002GNR3.pdf3260
OM780-4 PLASTIC98ASA10833DMPQ - 250 REELPOQ - 250 REELActiveMHT1002NR3MHT1002NR3.pdf3260
MHT1002N 350 W CW, 915 MHz, 48 V Data Sheet MHT1002N
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
MHT1002N 915 MHz PCB DXF file MHT1002N
98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins MMRF1020-04N
MHT1002GNR3.pdf MHT1002N
98ASA10833D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins MMRF1020-04N
MHT1002NR3.pdf MHT1002N