MHT1003N: 2450 MHz，250 W连续波，32 V射频功率LDMOS晶体管，适用于消费电子和商用烹饪
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特性
特性
| OM-780-2 Package Image |
数据手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| MHT1003N 250 W CW, 2450 MHz, 32 V Data Sheet (REV 0) PDF (583.4 kB) MHT1003N [English] | 22 Dec 2014 |
应用说明 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
工程设计要点 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
选型工具指南 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
封装信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| 98ASA10831D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 9.96, 2 Pins (REV C) PDF (68.6 kB) 98ASA10831D [English] | 22 Mar 2016 |
印刷电路板
- MHT1003N 2450 MHz PCB DXF file (REV 3) ZIP MHT1003N_PCB 12/22/2014
订购信息
| 型号 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MHT1003NR3 | Active | 2450 | 2450 | 32 | 54.2 | 263 | 250 @ CW | 1-Tone | 15.9 @ 2450 | 59 | 0.26 | I/O | AB | LDMOS |
封装环保信息
| 封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | MSL | PPT (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| OM780-2 Straight Cu | 98ASA10831D | MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX | Active | MHT1003NR3 | MHT1003NR3.pdf |   | 3 | 260 |
- AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
- Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
- RF Products Selector Guide MMT20303H
- MHT1003N 2450 MHz PCB DXF file MHT1003N
- 98ASA10831D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 9.96, 2 Pins MMRF1017N
- MHT1003NR3.pdf MHT1003N
