MHT1006N: 728-2700 MHz、10 W连续波、28 V射频功率晶体管,适用于消费电子和商用烹饪

特性
  • 增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 专为数字预失真纠错系统而设计
  • 带有内部射频反馈的通用宽带驱动器件
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,16 mm卷带宽度,7英寸卷盘。
PLD-1.5W Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MHT1006NT1 728-2700 MHz, 10 W CW, 28 V Industrial Heating, Rugged RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet (REV 1) PDF (695.6 kB) MHT1006N [English]30 Dec 2015
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASA00476D, PLD, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins (REV A) PDF (55.3 kB) 98ASA00476D [English]15 Feb 2016
订购信息
型号状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MHT1006NT1Active728270028401010 @ CW1-Tone19.8 @ 240055.13.7UnmatchedABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询MSLPPT (°C)
PLD-1.5W98ASA00476DMPQ - 1000 REELPOQ - 1000 BOXActiveMHT1006NT1MHT1006NT1.pdf3260
MHT1006NT1 728-2700 MHz, 10 W CW, 28 V Industrial Heating, Rugged RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet MHT1006N
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
98ASA00476D, PLD, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins aft09ms015n
MHT1006NT1.pdf MHT1006N