名称/描述 | Modified Date |
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MMRF1014NT1 1-2000 MHz, 4 W, 28 V Class A/AB RF Power MOSFET - Data Sheet (REV 0) PDF (720.9 kB) MMRF1014N [English] | 24 Jul 2014 |
名称/描述 | Modified Date |
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AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
名称/描述 | Modified Date |
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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
名称/描述 | Modified Date |
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RF Aerospace and Defense Solutions Brochure (REV 4.1) PDF (1.6 MB) BR1611 [English] | 16 May 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins (REV E) PDF (51.5 kB) 98ASB15740C [English] | 22 Mar 2016 |
型号 | 状态 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
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MMRF1014NT1 | Active | 1 | 2000 | 28 | 36 | 4 | 4 @ PEP | 2-Tone | 18 @ 1960 | 33 | 8.8 | Unmatched | A, AB | LDMOS |
封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | MSL | PPT (°C) |
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PLD-1.5 | 98ASB15740C | MPQ - 1000 REELPOQ - 1000 BOX | Active | MMRF1014NT1 | MMRF1014NT1.pdf | 3 | 260 |