MMZ25333B: 面向移动通信基础设施的2 W InGaP GaAs HBT高增益功率放大器

特性
  • P1dB:高达33 dBm
  • 增益:超过40 dB
  • 5 V电源
  • 卓越的线性度
  • 高效率
  • 单端功率检测器
  • 频段可调
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,12 mm卷带宽度,7英寸卷盘。
24-Pin QFN 4 x 4 Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MMZ25333BT1 1500-2700 MHz, 44.2 dB, 31.7 dBm, InGaP HBT Linear Amplifier - Data Sheet (REV 1) PDF (1.2 MB) MMZ25333B [English]01 Aug 2014
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
简介 (1)
名称/描述Modified Date
Linear Amplifiers Fact Sheet (REV 3) PDF (139.1 kB) RFLINAMPFS [English]30 Dec 2014
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASA00462D, QFN Punch, 4.0x4.0x0.85, Pitch 0.5, 24 Pins (REV A) PDF (54.3 kB) 98ASA00462D [English]09 Feb 2016
支持信息 (1)
名称/描述Modified Date
MMZ25333B 2 Watt High Gain Power Amplifier for Cellular Infrastructure (REV 0) PDF (507.4 kB) MMZ25333B_TRN_SI [English]12 Mar 2014
订购信息
型号状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Min-Max) (V)增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)P1dB (Typ) (dBm)ACPR (Typ) (dBc) @ (dBm)测试信号
MMZ25333BT1Active150027005 to 544.2 @ 260033-48 @ 22.2W-CDMA
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询MSLPPT (°C)
QFN 24EP 4SQ*.85PO0.5098ASA00462DMPQ - 1000 REELPOQ - 1000 BOXActiveMMZ25333BT1MMZ25333BT1.pdf1260
MMZ25333BT1 1500-2700 MHz, 44.2 dB, 31.7 dBm, InGaP HBT Linear Amplifier - Data Sheet MMZ25333B
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Linear Amplifiers Fact Sheet MMZ25333B
RF Products Selector Guide MMT20303H
MMZ25333B 2 Watt High Gain Power Amplifier for Cellular Infrastructure MMZ25333B
98ASA00462D, QFN Punch, 4.0x4.0x0.85, Pitch 0.5, 24 Pins MMZ27333B
MMZ25333BT1.pdf MMZ25333B