MRF1513NT1: 520 MHz,3 W,12.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET

特性
  • 520 MHz,12.5 V时的性能指标 输出功率:3 W 功率增益:15 dB 效率:65%
  • 在15.5 Vdc,520 MHz,2 dB过驱时,能承受20:1 VSWR
  • 卓越的热稳定性
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • N后缀表示无铅焊端。符合RoHS规范。
  • 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,12 mm卷带宽度,7英寸卷盘。
PLD 1.5 Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MRF1513NT1 520 MHz, 3 W, 12.5 V, Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET (REV 12) PDF (483.5 kB) MRF1513N [English]19 Jun 2009
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
简介 (1)
名称/描述Modified Date
RFLANDMBFS: RF Mobile Radio Solutions - Fact Sheet (REV 2) PDF (364.6 kB) RFLANDMBFS [English]20 Mar 2014
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins (REV E) PDF (51.5 kB) 98ASB15740C [English]22 Mar 2016
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MRF1513NT1Active1365207.5, 12.534.833 @ CW1-Tone15 @ 520654UnmatchedABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询MSLPPT (°C)
PLD-1.598ASB15740CMPQ - 1000 REELPOQ - 1000 BOXActiveMRF1513NT1MRF1513NT1.pdf3260
MRF1513NT1 520 MHz, 3 W, 12.5 V, Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET mrf1513nt1
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RFLANDMBFS: RF Mobile Radio Solutions - Fact Sheet mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins MRFG35003N6AT1
MRF1513NT1.pdf MRF1513NT1