MRF1K50H: 1.8-500 MHz,1500 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管

特性
  • 高漏极源雪崩能量吸收能力
  • 非匹配的输入和输出
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 电压范围为30至50 V
  • 高耐用性。处理65:1 VSWR。
  • 符合RoHS规范
  • 推荐的驱动器:MRFE6VS25N (25 W)
  • 提供更低的热阻部件:MRF1K50N
  • 本产品包含在恩智浦产品长期供货计划中,自推出后至少保证15年供货
特性
  • 工业、科学和医疗(ISM)
    • 激光生成
    • 等离子蚀刻
    • 粒子加速器
    • MRI、透热疗法、激光皮肤和磨削
    • 工业加热、焊接和干燥系统
  • 激光生成
  • 等离子蚀刻
  • 粒子加速器
  • MRI、透热疗法、激光皮肤和磨削
  • 工业加热、焊接和干燥系统
  • 广播
    • 电台广播
    • VHF电视广播
  • 电台广播
  • VHF电视广播
  • 航空航天
    • VHF全向信标(VOR)
    • HF和VHF通信
    • 气象雷达
  • VHF全向信标(VOR)
  • HF和VHF通信
  • 气象雷达
  • 移动无线电
    • VHF和UHF基站
  • VHF和UHF基站
MRF1K50H: Reference Circuits and Test Fixture
MRF1K50H: NI-1230H-4S Package Image
恩智浦1500 W MRF1K50射频功率晶体管基准测试
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MRF1K50H 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V Data Sheet (REV 0) PDF (1.1 MB) MRF1K50H [English]24 Jun 2016
应用说明 (3)
名称/描述Modified Date
Power MOSFET single-shot and repetitive avalanche ruggedness rating (REV 3.0) PDF (146.0 kB) AN10273 [English]10 Dec 2015
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages (REV 3) PDF (910.7 kB) AN1907 [English]13 May 2009
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins (REV G) PDF (47.5 kB) 98ASB16977C [English]05 Apr 2016
评估/开发板与系统
印刷电路板
电路图
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MRF1K50HR5Active1.85005061.815001500 @ PeakPulse23.7 @ 230740.12UnmatchedABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询PPT (°C)
NI-123098ASB16977CMPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRF1K50HR5MRF1K50HR5.pdf260
MRF1K50H 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V Data Sheet mrf1k50h
Power MOSFET single-shot and repetitive avalanche ruggedness rating BUK7M12-60E
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages mrf1570n
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
MRF1K50H -- 81.36 MHz ISM参考电路 MRF1K50H
MRF1K50H 230 MHz Narrowband PCB DXF file MRF1K50H
MRF1K50H 81.36 MHz Narrowband PCB DXF file MRF1K50H
MRF1K50H 87.5-108 MHz Broadband PCB DXF file MRF1K50H
MRF1K50H 81.36 MHz Heatsink Drawing MRF1K50H
MRF1K50H 87.5-108 MHz Heatsink Drawing MRF1K50H
98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins MMRF1317H
MRF1K50HR5.pdf MRF1K50H