MRF7S19120NR1: 1930-1990 MHz，36 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MRF7S19120NR1: 1930-1990 MHz，36 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS

特性

典型单载波W-CDMA性能：VDD = 28 V，IDQ = 1200 mA，平均输出功率 = 36 W，全频段，IQ幅度削峰，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 7.5 dB @ 0.01% CCDF。功率增益：18 dB 漏极效率：32% 器件输出信号PAR：6.1 dB @ 0.01% CCDF 5 MHz偏移时的ACPR：3.84 MHz信道带宽时为-38.5 dBc
在32 Vdc，1960 MHz，120 W连续波输出功率时，能承受10:1 VSWR
1 dB压缩点时的连续波输出功率 ≥ 120 W
100%经过PAR测试，可保证输出功率能力
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配，简便易用
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
可耐225°C高温的塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀 = 500个，44 mm卷带宽度，13英寸卷盘

TO-270 WBL-4 Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MRF7S19120NR1 1930-1990 MHz, 36 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET (REV 3) PDF (779.0 kB) MRF7S19120N [English]	31 Mar 2011

应用说明 (3)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages (REV 3) PDF (910.7 kB) AN1907 [English]	13 May 2009
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages (REV 0) PDF (413.2 kB) AN3789 [English]	12 Mar 2009

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (1)

名称/描述	Modified Date
98ASA10882D, TO-WBL, 23.75x9.25x3.17, Pitch 28.2, 4 Pins (REV E) PDF (78.2 kB) 98ASA10882D [English]	29 Mar 2016

订购信息

型号	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRF7S19120NR1	Active	1930	1990	28	50.8	120	36 @ AVG	W-CDMA	18 @ 1990	32	0.51	I/O	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	MSL	PPT (°C)
TO-270 WB-4 LONG	98ASA10882D	MPQ - 500 REELPOQ - 500 BOX	Active	MRF7S19120NR1	MRF7S19120NR1.pdf		3	260

MRF7S19120NR1 1930-1990 MHz, 36 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET mrf7s19120nr1

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages mrf1570n

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages mrf1570n

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

98ASA10882D, TO-WBL, 23.75x9.25x3.17, Pitch 28.2, 4 Pins mrf7s19120nr1

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