MRF7S21150H: 2110-2170 MHz，44 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MRF7S21150H: 2110-2170 MHz，44 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS

特性

典型单载波W-CDMA性能：VDD = 28 V，IDQ = 1350 mA，平均输出功率 = 44 W，全频段，3GPP测试模型1，64DPCH带50%削峰，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 7.5 dB @ 0.01% CCDF。功率增益：17.5 dB 漏极效率：31% 器件输出信号PAR：6.1 dB @ 0.01% CCDF 5 MHz偏移时的ACPR：3.84 MHz信道带宽时为-37dBc
在32 Vdc，2140 MHz，150 W连续波峰值调谐功率时，能承受5:1 VSWR
1 dB压缩点时的连续波输出功率 ≥ 150 W
100%经过PAR测试，可保证输出功率能力
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配，简便易用
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘

NI-780, NI-780S Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MRF7S21150HR3, MRF7S21150HSR3 2110-2170 MHz, 44 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs (REV 1) PDF (449.5 kB) MRF7S21150H [English]	29 Apr 2009

应用说明 (1)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (2)

名称/描述	Modified Date
98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins (REV H) PDF (44.1 kB) 98ASB15607C [English]	22 Mar 2016
98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins (REV J) PDF (43.5 kB) 98ASB16718C [English]	22 Mar 2016

订购信息

型号	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRF7S21150HSR3	Active	2110	2170	28	51.8	150	44 @ AVG	W-CDMA	17.5 @ 2170	31	0.37	I/O	AB	LDMOS
MRF7S21150HR3	No Longer Manufactured	2110	2170	28	51.8	150	44 @ AVG	W-CDMA	17.5 @ 2170	31	0.37	I/O	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	PPT (°C)
NI-780S	98ASB16718C	MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX	Active	MRF7S21150HSR3	MRF7S21150HSR3.pdf		260
NI-780	98ASB15607C		No Longer Manufactured	MRF7S21150HR3	MRF7S21150HR3.pdf		260

MRF7S21150HR3, MRF7S21150HSR3 2110-2170 MHz, 44 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs mrf7s21150h

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins MMRF1011H

MRF7S21150HSR3.pdf MRF7S21150H

98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins MMRF1011H

MRF7S21150HR3.pdf MRF7S21150H

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