特性

• 880 MHz时的典型单载波N–CDMA性能，VDD = 28 V，IDQ = 350 mA，平均输出功率 = 10 W，IS–95 CDMA (导频，同步，寻呼，流量代码8-13)信道带宽 = 1.2288 MHz。PAR = 9.8 dB @ 0.01% CCDF。 功率增益：22.1 dB 漏极效率：32% 750 kHz偏移时的ACPR：30 kHz带宽时为-46 dBc
• 在32 Vdc，880 MHz，3 dB过驱时，能承受5:1 VSWR，旨在增强耐用性
• 典型GSM EDGE性能：VDD = 28 V，IDQ = 350 mA，平均输出功率 = 16 W，全频段(920–960 MHz) 功率增益：20 dB 漏极效率：46% 400 kHz偏移时，频谱增生 = –62 dBc 600kHz偏移时，频谱增生 = –78 dBc EVM：1.5% rms
• 典型GSM EDGE性能：VDD = 28 V，IDQ = 350 mA，输出功率 = 45 W，全频段(920–960 MHz) 功率增益：20 dB 漏极效率：68%
• 提供串联等效大信号阻抗参数
• 集成的ESD保护
• 可耐225°C高温的塑料封装
• 符合RoHS规范
• 采用盘卷包装。R1后缀 = 500个，24 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

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