MRFE6VP5600H: 1.8-600 MHz,600 W连续波,50 V宽带射频功率LDMOS

特性
  • 典型性能:VDD = 50 V,IDQ = 100 mA 信号类型 输出功率(W) f (MHz) Gps (dB) ηD (%) IRL (dB) 脉冲(100 µsec,20%占空比) 600峰值 230 25.0 74.6 –18 连续波 600平均值 230 24.6 75.2 –17
  • 在50 Vdc,230 MHz时,能承受65:1 VSWR的负载不匹配,所有相角,旨在增强耐用性。
    • 600 W脉冲峰值功率,20%占空比,100 µsec
  • 600 W脉冲峰值功率,20%占空比,100 µsec
  • 未匹配的输入和输出,可利用更宽的频率范围
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 工作电压最高可达50 VDD
  • 具有30-50 V的扩展功率范围
  • 适用于有适当偏置的线性应用。
  • 集成的ESD保护,带有增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R6后缀 = 150个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘。
  • 这些产品包含在恩智浦产品长期供货计划中,自推出后至少保证10年供货。
NI-1230H-4S, NI-1230S-4S Product Images
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MRFE6VP5600HR6, MRFE6VP5600HSR6 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs (REV 1) PDF (952.8 kB) MRFE6VP5600H [English]06 Jan 2011
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (2)
名称/描述Modified Date
98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins (REV G) PDF (47.5 kB) 98ASB16977C [English]05 Apr 2016
98ARB18247C, NI-C, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins (REV H) PDF (44.6 kB) 98ARB18247C [English]23 Feb 2016
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MRFE6VP5600HSR5Active1.86005057.8600600 @ CW1-Tone24.6 @ 23075.20.12UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP5600HR5Active1.86005057.8600600 @ CW1-Tone24.6 @ 23075.20.12UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP5600HR6Active1.86005057.8600600 @ CW1-Tone24.6 @ 23075.20.12UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP5600HSR6No Longer Manufactured1.86005057.8600600 @ CW1-Tone24.6 @ 23075.20.12UnmatchedABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询PPT (°C)
NI-123098ASB16977CMPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRFE6VP5600HR5MRFE6VP5600HR5.pdf260
MPQ - 150 REELPOQ - 150 REELActiveMRFE6VP5600HR6MRFE6VP5600HR6.pdf260
NI-1230S98ARB18247CMPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRFE6VP5600HSR5MRFE6VP5600HSR5.pdf260
Migration Complete. No Longer Manufactured. View PCN and Replacement Part
Migration Complete. No Longer Manufactured. View PCN and Replacement Part
MRFE6VP5600HSR6MRFE6VP5600HSR6.pdf260
MRFE6VP5600HR6, MRFE6VP5600HSR6 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs mrfe6vp5600h
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins MMRF1317H
MRFE6VP5600HR5.pdf MRFE6VP5600H
MRFE6VP5600HR6.pdf MRFE6VP5600H
98ARB18247C, NI-C, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins MMRF1317H
MRFE6VP5600HSR5.pdf MRFE6VP5600H
MRFE6VP5600HSR6.pdf MRFE6VP5600H