特性
| NI-360 Package Image |
名称/描述 | Modified Date |
---|---|
MRFE6VS25LR5 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet (REV 0) PDF (1.4 MB) MRFE6VS25L [English] | 01 Oct 2012 |
名称/描述 | Modified Date |
---|---|
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
名称/描述 | Modified Date |
---|---|
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
名称/描述 | Modified Date |
---|---|
RFWIDEBNDFS: 50V Rugged Wideband LDMOS Transistors – Fact Sheet (REV 0) PDF (337.4 kB) RFWIDEBNDFS [English] | 18 Jun 2012 |
名称/描述 | Modified Date |
---|---|
RF Solutions for Commercial Aerospace (REV 2) PDF (1.8 MB) BR1608 [English] | 04 Sep 2015 |
名称/描述 | Modified Date |
---|---|
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
---|---|
98ASB42968B, NI-C, 0.8x0.23x3.81, Pitch 14.2, 3 Pins (REV H) PDF (38.3 kB) 98ASB42968B [English] | 05 Apr 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
---|---|
50V Rugged Wideband LDMOS Transistors (REV 0) PDF (778.4 kB) 50VWIDEBAND_TRN_SI [English] | 15 Jun 2012 |
型号 | 状态 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MRFE6VS25LR5 | Active | 1.8 | 2000 | 50 | 44 | 25 | 25 @ Peak | Pulse | 25.9 @ 512 | 74 | 1.4 | Unmatched | AB | LDMOS |
封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | PPT (°C) |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NI-360 | 98ASB42968B | MPQ - 50 REELPOQ - 50 REEL | Active | MRFE6VS25LR5 | MRFE6VS25LR5.pdf | 260 |