MRFE8VP8600H: 平均值为140 W，频率470-860 MHz的50 V射频功率LDMOS晶体管
特性
| NI-1230H-4S Package Image |
数据手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| MRFE8VP8600H 140 W Avg, 470-860 MHz RF Power LDMOS Transistor Data Sheet (REV 0) PDF (329.2 kB) MRFE8VP8600H [English] | 30 Jul 2015 |
应用说明 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
工程设计要点 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
选型工具指南 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
封装信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| 98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins (REV G) PDF (47.5 kB) 98ASB16977C [English] | 05 Apr 2016 |
印刷电路板
- MRFE8VP8600H PCB DXF file (REV 0) ZIP MRFE8VP8600H_PCB 8/3/2015
订购信息
| 型号 | 状态 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRFE8VP8600HR5 | Active | 470 | 860 | 50 | 140 @ AVG | OFDM | 20 @ 810 | 34 | 0.16 | Input | AB | LDMOS |
封装环保信息
| 封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | PPT (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NI-1230 | 98ASB16977C | MPQ - 50 REELPOQ - 50 BOX | Active | MRFE8VP8600HR5 | MRFE8VP8600HR5.pdf |   | 260 |
- AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
- Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
- RF Products Selector Guide MMT20303H
- MRFE8VP8600H PCB DXF file MRFE8VP8600H
- 98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins MMRF1317H
- MRFE8VP8600HR5.pdf MRFE8VP8600H
