MW6S004NT1: 1-2000 MHz，4 W，28 V射频功率LDMOS
特性
| PLD 1.5 Package Image |
数据手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| MW6S004NT1 1-2000 MHz, 4 W, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET (REV 4) PDF (510.6 kB) MW6S004N [English] | 19 Jun 2009 |
应用说明 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
工程设计要点 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
选型工具指南 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
封装信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| 98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins (REV E) PDF (51.5 kB) 98ASB15740C [English] | 22 Mar 2016 |
订购信息
| 型号 | 状态 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MW6S004NT1 | Active | 1 | 2000 | 28 | 36 | 4 | 4 @ PEP | 2-Tone | 18 @ 1960 | 33 | 8.8 | Unmatched | AB | LDMOS |
封装环保信息
| 封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | MSL | PPT (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PLD-1.5 | 98ASB15740C | MPQ - 1000 REELPOQ - 1000 BOX | Active | MW6S004NT1 | MW6S004NT1.pdf |  | 3 | 260 |
- AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
- Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
- RF Products Selector Guide MMT20303H
- 98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins MRFG35003N6AT1
- MW6S004NT1.pdf MW6S004NT1
