A2G22S160-01S: 1800-2200 MHz,32 W平均值,48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

A2G22S160-01SR3 32 W LDMOS射频功率晶体管专为频率范围为1800至2200 MHz之间的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在1800–2200 MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用,则无法保证其性能。

特性
  • 高终端阻抗,支持最佳宽带性能
  • 专为数字预失真纠错系统而设计
  • 为Doherty应用进行了优化
  • 符合RoHS规范
NI-400S-2S Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
A2G22S160-01S 1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor Data Sheet (REV 0) PDF (828.8 kB) A2G22S160-01S [English]07 May 2015
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins (REV C) PDF (45.6 kB) 98ASA10732D [English]19 Jan 2016
支持信息 (1)
名称/描述Modified Date
Airfast® RF Power GaN for Cellular: A2G22S160-01S (REV 0) PDF (304.1 kB) GAN_A2G22S160-01S_TRN_SI [English]07 May 2015
印刷电路板
订购信息
型号状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
A2G22S160-01SR3Active18002200485112532 @ AVGW-CDMA19.6 @ 2110381.7InputABGaN
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询PPT (°C)
NI-400S-24098ASA10732DMPQ - 250 REELPOQ - 250 BOXActiveA2G22S160-01SR3A2G22S160-01SR3.pdf260
A2G22S160-01S 1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor Data Sheet A2G22S160-01S
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
Airfast® RF Power GaN for Cellular: A2G22S160-01S A2G22S160-01S
A2G22S160-01S PCB DXF file A2G22S160-01S
98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins A2G35S200-01S
A2G22S160-01SR3.pdf A2G22S160-01S