A2T09VD300N: 716-960 MHz,79 W平均值,48 V Airfast射频功率LDMOS晶体管

特性
  • 增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 专为数字预失真纠错系统而设计
  • 为Doherty应用进行了优化
  • 符合RoHS规范
TO-270WB-6A Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
A2T09VD300N 716-960 MHz, 79 W Avg, 48 V Data Sheet (REV 0) PDF (607.4 kB) A2T09VD300N [English]27 Aug 2015
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASA00592D, TO-WB, 17.53x9.02x2.59, Pitch 3.05, 7 Pins (REV A) PDF (89.9 kB) 98ASA00592D [English]22 Jan 2016
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
A2T09VD300NR1Active716960485425079 @ AVGW-CDMA21.5 @ 92034.40.66InputABLDMOS
A2T09VD300N 716-960 MHz, 79 W Avg, 48 V Data Sheet A2T09VD300N
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
98ASA00592D, TO-WB, 17.53x9.02x2.59, Pitch 3.05, 7 Pins A2T09VD300N