A2T26H165-24S: 2496-2690 MHz，32W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

A2T26H165-24S: 2496-2690 MHz，32W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管

特性

先进的高性能内部封装Doherty
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范

NI-780S-4L2L Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
A2T26H165-24S 2496-2690 MHz, 32 W Avg, 28 V Data Sheet (REV 0) PDF (431.8 kB) A2T26H165-24S [English]	23 Dec 2015

应用说明 (1)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (1)

名称/描述	Modified Date
98ASA00674D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 7 Pins (REV O) PDF (50.2 kB) 98ASA00674D [English]	16 Jan 2014

印刷电路板

A2T26H165-24S PCB DXF file (REV 3) ZIP A2T26H165-24S_PCB 12/23/2015

订购信息

型号	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
A2T26H165-24SR3	Active	2496	2690	28	51.5	141	32 @ AVG	W-CDMA	14.7 @ 2496	45.4	0.45	I/O	AB, C	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	PPT (°C)
NI-780S-4L2L	98ASA00674D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 REEL	Active	A2T26H165-24SR3	A2T26H165-24SR3.pdf		260

A2T26H165-24S 2496-2690 MHz, 32 W Avg, 28 V Data Sheet A2T26H165-24S

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

A2T26H165-24S PCB DXF file A2T26H165-24S

98ASA00674D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 7 Pins A2T26H165-24S

A2T26H165-24SR3.pdf A2T26H165-24S

©1993 - 2024 BDTIC