数据手册DataSheet 下载:BSH205 P沟道垂直D-MOS逻辑电平FET.pdf
逻辑电平P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用垂直D-MOS技术的塑料封装。该产品仅设计适合用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特点
| 产品应用
|
订购型号 | 封装 | Outline version | Reflow-/Wave soldering | 包装 | 产品状态 | 标示 | 订购器件的编号 |
BSH205 | TO-236AB (SOT23) | sot023_po | Reflow_Soldering_Profile Wave_Soldering_Profile | Tape reel smd | 激活 | %J0 | BSH205,215( 9340 547 21215 ) |
订购型号 | 订购器件的编号 | RoHS / RHF | 无铅开始日期 | EFR | IFR (FIT) | MTBF(小时) | 潮湿敏感度等级 | MSL LF |
BSH205 | BSH205,215 | week 35, 2003 | 603.0 | 2.8 | 3.58E8 | 1 | 1 |