BUK9E1R9-40E N沟道40 V，1.9 mΩ逻辑电平MOSFET，采用I²PAK封装

逻辑电平N沟道MOSFET，采用I²PAK封装，使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准，适用于高性能汽车电子应用。

订购型号	封装	Outline version	Reflow-/Wave soldering	包装	产品状态	标示	订购器件的编号
BUK9E1R9-40E	I2PAK (SOT226)	sot226_po		Horizontal, Rail Pack	激活	BUK9E1R9-40E	BUK9E1R9-40E,127( 9340 665 11127 )

订购型号	订购器件的编号	RoHS / RHF	无铅开始日期	EFR	IFR (FIT)	MTBF（小时）	潮湿敏感度等级	MSL LF
BUK9E1R9-40E	BUK9E1R9-40E,127			NA	NA

文档标题	类型分类	格式	更新日期
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