MRF6VP21KH: 10-235 MHz，1000 W，50 V宽带射频功率LDMOS _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MRF6VP21KH: 10-235 MHz，1000 W，50 V宽带射频功率LDMOS

特性

225MHz时的典型脉冲性能：VDD = 50 V，IDQ = 150 mA，输出功率 = 1000 W峰值(200 W平均值)，脉冲宽度 = 100 µsec，占空比 = 20% 功率增益：24 dB 漏极效率：67.5%
在50 Vdc，225 MHz，1000 W峰值功率时，能承受10:1 VSWR
提供串联等效大信号阻抗参数
能进行充分冷却的连续波操作功能
工作电压最高可达50 VDD
集成的ESD保护
专为推挽操作而设计
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R6后缀 = 150个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

NI-1230 Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MRF6VP21KHR6 10-235 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET (REV 4) PDF (719.8 kB) MRF6VP21KH [English]	28 Apr 2010

应用说明 (1)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

手册 (2)

名称/描述	Modified Date
Industrial, Scientific and Medical Solutions Brochure (REV 9) PDF (1.2 MB) BR1593 [English]	03 Oct 2014
Broadcast Solutions (REV 5) PDF (818.6 kB) BR1607 [English]	08 Sep 2011

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

白皮书 (1)

名称/描述	Modified Date
50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications (REV 4) PDF (914.5 kB) 50VRFLDMOSWP [English]	08 Sep 2011

封装信息 (1)

名称/描述	Modified Date
98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins (REV G) PDF (47.5 kB) 98ASB16977C [English]	05 Apr 2016

订购信息

型号	状态	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRF6VP21KHR5	Active		10	235	50	60	1000	1000 @ Peak	Pulse	24 @ 225	67.5	0.03	Unmatched	AB	LDMOS
MRF6VP21KHR6	No Longer Manufactured		10	235	50	60	1000	1000 @ Peak	Pulse	24 @ 225	67.5	0.03	Unmatched	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	PPT (°C)
NI-1230	98ASB16977C	MPQ - 50 REELPOQ - 50 BOX	Active	MRF6VP21KHR5	MRF6VP21KHR5.pdf		260
NI-1230	98ASB16977C		Migration Complete. No Longer Manufactured. View PCN and Replacement Part Migration Complete. No Longer Manufactured. View PCN and Replacement Part	MRF6VP21KHR6	MRF6VP21KHR6.pdf		260

MRF6VP21KHR6 10-235 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET mrf6vp21kh

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

Industrial, Scientific and Medical Solutions Brochure mw7ic2425n

Broadcast Solutions mrfe6vp8600h

RF Products Selector Guide MMT20303H

50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications mrfe6vp8600h

98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins MMRF1317H

MRF6VP21KHR5.pdf MRF6VP21KH

MRF6VP21KHR6.pdf MRF6VP21KH

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