MRFE6S9160H: 880 MHz，35 W平均值，28 V，单载波N-CDMA横向N信道射频功率MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MRFE6S9160H: 880 MHz，35 W平均值，28 V，单载波N-CDMA横向N信道射频功率MOSFET

特性

880 MHz时的典型单载波N–CDMA性能：VDD = 28 V，IDQ = 1200 mA，平均输出功率 = 35 W，IS–95 CDMA (导频，同步，寻呼，流量代码8 - 13)信道带宽 = 1.2288 MHz。PAR = 9.8 dB @ 0.01% CCDF。功率增益：21 dB 漏极效率：31% 750 kHz偏移时的ACPR：30 kHz带宽时为-48.6 dBc
在32 Vdc，880 MHz，3 dB过驱时，能承受10:1 VSWR，旨在增强耐用性
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配，简便易用
工作电压最高可达32 VDD
集成的ESD保护
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

NI-780, NI-780S Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MRFE6S9160HR3, MRFE6S9160HSR3 880 MHz, 35 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs (REV 1) PDF (509.1 kB) MRFE6S9160H [English]	31 Dec 2008

应用说明 (1)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (2)

名称/描述	Modified Date
98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins (REV H) PDF (44.1 kB) 98ASB15607C [English]	22 Mar 2016
98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins (REV J) PDF (43.5 kB) 98ASB16718C [English]	22 Mar 2016

订购信息

型号	状态	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRFE6S9160HSR3	Active		865	960	28	52	160	35 @ AVG	N-CDMA	21 @ 880	31	0.33	Input	AB	LDMOS
MRFE6S9160HR3	No Longer Manufactured		865	960	28	52	160	35 @ AVG	N-CDMA	21 @ 880	31	0.33	Input	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	PPT (°C)
NI-780S	98ASB16718C	MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX	Active	MRFE6S9160HSR3	MRFE6S9160HSR3.pdf		260
NI-780	98ASB15607C		No Longer Manufactured	MRFE6S9160HR3	MRFE6S9160HR3.pdf		260

MRFE6S9160HR3, MRFE6S9160HSR3 880 MHz, 35 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs MRFE6S9160H

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins MMRF1011H

MRFE6S9160HSR3.pdf MRFE6S9160H

98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins MMRF1011H

MRFE6S9160HR3.pdf MRFE6S9160H

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