MRFE6VP100H: 1.8-2000 MHz，100 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MRFE6VP100H: 1.8-2000 MHz，100 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管

特性

宽工作频率范围
超耐用
未匹配，可支持非常宽的频段
集成的稳定性增强功能
低热阻
集成的ESD保护电路
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R5后缀 = 50个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

NI-780-4, NI-780S-4 Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 1.8-2000 MHz, 100 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors (REV 0) PDF (1.2 MB) MRFE6VP100H [English]	30 May 2012

应用说明 (1)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

简介 (1)

名称/描述	Modified Date
RFWIDEBNDFS: 50V Rugged Wideband LDMOS Transistors – Fact Sheet (REV 0) PDF (337.4 kB) RFWIDEBNDFS [English]	18 Jun 2012

手册 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Solutions for Commercial Aerospace (REV 2) PDF (1.8 MB) BR1608 [English]	04 Sep 2015

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (2)

名称/描述	Modified Date
98ASA10718D, NI-C, 19.81x9.34x3.75, Pitch 4.44, 5 Pins (REV C) PDF (42.9 kB) 98ASA10718D [English]	15 Aug 2016
98ASA10793D (REV A) PDF (47.9 kB) 98ASA10793D [English]	21 Mar 2016

支持信息 (1)

名称/描述	Modified Date
50V Rugged Wideband LDMOS Transistors (REV 0) PDF (778.4 kB) 50VWIDEBAND_TRN_SI [English]	15 Jun 2012

印刷电路板

MRFE6VP100H 512 MHz Narrowband PCB DXF file (REV 1) ZIP MRFE6VP100H_512NB_PCB 5/30/2012

订购信息

型号	状态	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRFE6VP100HSR5	Active		1.8	2000	50	50	100	100 @ CW	1-Tone	27.2 @ 512	70	0.38	Unmatched	AB	LDMOS
MRFE6VP100HR5	Active		1.8	2000	50	50	100	100 @ CW	1-Tone	27.2 @ 512	70	0.38	Unmatched	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	PPT (°C)
NI-780-4	98ASA10793D	MPQ - 50 REELPOQ - 50 REEL	Active	MRFE6VP100HR5	MRFE6VP100HR5.pdf		260
NI-780S-4	98ASA10718D	MPQ - 50 REELPOQ - 50 REEL	Active	MRFE6VP100HSR5	MRFE6VP100HSR5.pdf		260

MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 1.8-2000 MHz, 100 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors mrfe6vp100h

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RFWIDEBNDFS: 50V Rugged Wideband LDMOS Transistors – Fact Sheet mrfe6vs25n

RF Solutions for Commercial Aerospace mrfe6vs25n

RF Products Selector Guide MMT20303H

50V Rugged Wideband LDMOS Transistors mrfe6vs25n

MRFE6VP100H 512 MHz Narrowband PCB DXF file MRFE6VP100H

98ASA10793D MMRF1310H

MRFE6VP100HR5.pdf MRFE6VP100H

98ASA10718D, NI-C, 19.81x9.34x3.75, Pitch 4.44, 5 Pins MMRF1310H

MRFE6VP100HSR5.pdf MRFE6VP100H

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