MRFG35005ANT1: 3.5 GHz,4.5 W,12 V功率FET GaAs pHEMT

特性
  • 典型单载波W-CDMA性能:VDD = 12 V,IDQ = 80 mA,平均输出功率 = 450 mW,3550 MHz,信道带宽 = 3.84 MHz,输入信号PAR = 8.5 dB @ 0.01% CCDF。 功率增益:11 dB 漏极效率:26% 5 MHz偏移时的ACPR:3.84 MHz信道带宽时为–44 dBc
  • 3550 MHz连续波时,4.5 W P1dB
  • 卓越的相位线性和组时延特征
  • 高增益、高效率和高线性
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,12 mm卷带宽度,7英寸卷盘。
PLD 1.5 Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MRFG35005ANT1, 3.5 GHz, 4.5 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT (REV 2) PDF (457.4 kB) MRFG35005AN [English]19 Jun 2009
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
简介 (1)
名称/描述Modified Date
Power GaAs pHEMT Fact Sheet (REV 0) PDF (294.7 kB) GAASPHEMTFS [English]12 Apr 2012
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins (REV E) PDF (51.5 kB) 98ASB15740C [English]22 Mar 2016
订购信息
型号状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Min-Max) (V)P1dB (Typ) (dBm)测试信号增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)热阻 (Spec)(°C/W)类型
MRFG35005ANT1Active500500012 to 1236.5W-CDMA11 @ 355013.7AB
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询MSLPPT (°C)
PLD-1.598ASB15740CMPQ - 1000 REELPOQ - 1000 REELActiveMRFG35005ANT1MRFG35005ANT1.pdf3260
MRFG35005ANT1, 3.5 GHz, 4.5 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT mrfg35005ant1
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Power GaAs pHEMT Fact Sheet MMG3014NT1
RF Products Selector Guide MMT20303H
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins MRFG35003N6AT1
MRFG35005ANT1.pdf MRFG35005ANT1