10V Drive Nch MOSFET RCD100N20
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
| 型号 | Status | 封装 | 包装数量 | 最小独立包装数量 | 包装形态 | RoHS |
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| RCD100N20TL | 供应中 | CPT3 | 2500 | 2500 | Taping | Yes |
RCD100N20 数据手册 Data Sheet
技术特性| Grade | Standard | | Package Code | TO-252(DPAK) | | JEITA Package | SC-63 | | Package Size[mm] | 6.5x9.5(t=2.3) | | Number of terminal | 3 | | Polarity | Nch | | Drain-Source Voltage VDSS[V] | 200 | | Drain Current ID[A] | 10.0 | | RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.14 | | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.14 | | Total gate charge Qg[nC] | 26.0 | | Power Dissipation (PD)[W] | 20.0 | | Drive Voltage[V] | 10.0 | | Mounting Style | Surface mount | | Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 | | Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
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