10V Drive Nch MOSFET RCJ510N25
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
型号 | Status | 封装 | 包装数量 | 最小独立包装数量 | 包装形态 | RoHS |
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RCJ510N25TL | 供应中 | LPTS(D2PAK) | 1000 | 1000 | Taping | Yes |
RCJ510N25 数据手册 Data Sheet
技术特性Grade | Standard | Package Code | TO-263(D2PAK) | JEITA Package | SC-83 | Package Size[mm] | 10.1x13.1(t=4.5) | Number of terminal | 3 | Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS[V] | 250 | Drain Current ID[A] | 51.0 | RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.048 | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.048 | Total gate charge Qg[nC] | 120.0 | Power Dissipation (PD)[W] | 40.0 | Drive Voltage[V] | 10.0 | Mounting Style | Surface mount | Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 | Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
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