4.5V驱动型 Nch MOSFET RF4E110GN
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。
| 型号 | Status | 封装 | 包装数量 | 最小独立包装数量 | 包装形态 | RoHS |
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| RF4E110GNTR | 供应中 | HUML2020L8(Single) | 3000 | 3000 | Taping | Yes |
RF4E110GN 数据手册 Data Sheet
技术特性| Grade | Standard | | Package Code | DFN2020-8S | | Package Size[mm] | 2.0x2.0(t=0.6) | | Number of terminal | 8 | | Polarity | Nch | | Drain-Source Voltage VDSS[V] | 30 | | Drain Current ID[A] | 11.0 | | RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) | 0.0117 | | RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.0087 | | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.0117 | | Total gate charge Qg[nC] | 3.5 | | Power Dissipation (PD)[W] | 2.0 | | Drive Voltage[V] | 4.5 | | Mounting Style | Surface mount | | Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 | | Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
应用领域- 漏电断路器
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