4.5V驱动型 Nch MOSFET RQ3E180GN
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。
型号 | Status | 封装 | 包装数量 | 最小独立包装数量 | 包装形态 | RoHS |
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RQ3E180GNTB | 供应中 | HSMT8 | 3000 | 3000 | Taping | Yes |
RQ3E180GN 数据手册 Data Sheet
技术特性Grade | Standard | Package Code | HSMT8(3.3x3.3) | Package Size[mm] | 3.3x3.3(t=0.8) | Number of terminal | 8 | Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS[V] | 30 | Drain Current ID[A] | 39.0 | RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) | 0.0043 | RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.0033 | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.0043 | Total gate charge Qg[nC] | 11.0 | Power Dissipation (PD)[W] | 20.0 | Drive Voltage[V] | 4.5 | Mounting Style | Surface mount | Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 | Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
应用领域- 漏电断路器
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