4.5V驱动型 Nch MOSFET RS1G120MN
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。
型号 | Status | 封装 | 包装数量 | 最小独立包装数量 | 包装形态 | RoHS |
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RS1G120MNTB | 供应中 | HSOP8(Single) | 2500 | 2500 | Taping | Yes |
RS1G120MN 数据手册 Data Sheet
技术特性Grade | Standard | Package Code | HSOP8S(5x6) | Package Size[mm] | 5.0x6.0(t=1.0) | Number of terminal | 8 | Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS[V] | 40 | Drain Current ID[A] | 40.0 | RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) | 0.0156 | RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.0116 | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.0156 | Total gate charge Qg[nC] | 10.1 | Power Dissipation (PD)[W] | 3.0 | Drive Voltage[V] | 4.5 | Mounting Style | Surface mount | Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 | Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
应用领域- Coin Processing Machines
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- 超声波诊断设备
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- 大型LCD面板
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- 超声波诊断设备(便携式)
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- 汽车音响
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- 笔记本电脑
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- 家庭音响
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- 监控摄像机
- MFP (多功能打印机)
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- 步进电机
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- 空调
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