2.5V Drive Nch+1.5V DrivePch MOSFET TT8M2

电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

型号Status封装包装数量最小独立包装数量包装形态RoHS
TT8M2TR供应中TSST830003000TapingYes

TT8M2 数据手册 Data Sheet

技术特性
GradeStandard
Package CodeTSST8
Package Size[mm]3.0x1.9(t=0.8)
Number of terminal8
PolarityNch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]30
Drain Current ID[A]2.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)0.095
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)0.07
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)0.095
Total gate charge Qg[nC]3.2
Power Dissipation (PD)[W]1.25
Drive Voltage[V]2.5
Mounting StyleSurface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]-55
Storage Temperature (Max.)[°C]150
应用领域
  • POS (Point of Sales System)
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引脚配置图
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TT8M2 TT8M2
DTA113ZCAHZG DTA113ZCAHZG
DTA114TCAHZG DTA114TCAHZG
DTA114YCAHZG DTA114YCAHZG
Spice Model (lib) TT8M2
Thermal Model (lib) TT8M2
Package Information VT6M1
Taping Specifications VT6M1
Condition Of Soldering VT6M1
Storage Conditions VT6M1
Reliability Information TT8U2
Operation Notes VT6M1
Operation Notes VT6M1
Part Explanation VT6M1
NE Handbook Series TT8M2